Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-8097P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4559ADY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF.1.869 |
| 125 - 245 | CHF.1.628 |
| 250 - 495 | CHF.1.344 |
| 500 + | CHF.1.061 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8097P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4559ADY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.58Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.58Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a drain-source voltage of 60V. It has continuous drain currents of 5.3A and 3.9A. It has a maximum power rating of 3.4W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality. It is applicable in CCFL inverters.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
• UIS tested