Vishay Einfach N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 180-8307
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF830ALPBF
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.677 | CHF 83.63 |
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| 250 + | CHF 1.424 | CHF 71.10 |
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8307
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF830ALPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 9.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Länge 9.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 5 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF830ALPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Einzel-N-Kanal-Transistor, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er ist im TO-262-Format verpackt und dient als kompaktes Schaltelement für Schaltkreise, die eine hohe Drain-Source-Spannungskapazität und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit in industriellen und gewerblichen Umgebungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 500 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsanwendungen
• 5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine konstante Stromversorgung
• 1,4 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Schwachstromkonstruktionen
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Die Verlustleistung von 74 W hilft bei der Wärmeleistung bei Last
• 5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine konstante Stromversorgung
• 1,4 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Schwachstromkonstruktionen
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Die Verlustleistung von 74 W hilft bei der Wärmeleistung bei Last
Anwendungsbereich
• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Front-Ends
• Wird mit Impulskonvertern verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für die Steuerung von industriellen Lampen und Heizgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromaufbereitung und Hilfsversorgungen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Front-Ends
• Wird mit Impulskonvertern verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für die Steuerung von industriellen Lampen und Heizgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromaufbereitung und Hilfsversorgungen
Welchen thermischen Extremen kann das Gerät im Betrieb standhalten?
Er ist spezifiziert für den Betrieb in einem Bereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Tieftemperaturanlässe und erhöhte Sperrschichttemperaturen unter Last.
Wie viele diskrete Transistorelemente sind auf dem Chip vorhanden?
Der Halbleiter enthält ein einzelnes Element pro Chip und bietet einen isolierten Schaltkanal für Schaltkreise.
Welche Umwelt- und Materialstandards spiegeln sich in der Herstellung wider?
Die Komponente entspricht den Material- und Stoffstandards RoHS 2002/95/EC und IEC 61249-2-21.
Wie hoch ist die typische Durchlassspannung bei Diodenleitungsereignissen?
Die intrinsische Body-Diode weist während der Leitung eine Durchlassspannung von ca. 1,5 V auf.
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