Vishay Einfach N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 180-8664P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30LPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 136.85
Auf Lager
- 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 2.737 |
| 125 - 245 | CHF 2.586 |
| 250 - 495 | CHF 2.424 |
| 500 + | CHF 2.252 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8664P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30LPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 800 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 4,1 A – IRFBE30LPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er ist in einem TO-262-Gehäuse untergebracht und dient als Ein-Element-Leistungstransistor, der hohe Drain-Source-Spannungen und eine anhaltende Verlustleistung über einen breiten thermischen Bereich bewältigen kann, wodurch er sich für anspruchsvolle Betriebsbedingungen eignet, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 125 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Belastung
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom für Anwendungen mit mittlerer Belastung
• 3 Ω Rds für vorhersehbare Einschaltwiderstandseigenschaften
• 78 nC Gate-Ladung für kontrollierte Schaltübergänge
• 20 V Vgs maximaler Schutz der Gate-Integrität
• 125 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Belastung
• 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom für Anwendungen mit mittlerer Belastung
• 3 Ω Rds für vorhersehbare Einschaltwiderstandseigenschaften
• 78 nC Gate-Ladung für kontrollierte Schaltübergänge
• 20 V Vgs maximaler Schutz der Gate-Integrität
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Hochspannungsnetzteile
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsumwandlungsstufen
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen, die hohe Vds erfordern
• Kann für Überlastschutz und Dämpfungsstromkreise verwendet werden
• Nützlich im Energiemanagement, wo ein erhöhter Temperaturbereich wichtig ist
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsumwandlungsstufen
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen, die hohe Vds erfordern
• Kann für Überlastschutz und Dämpfungsstromkreise verwendet werden
• Nützlich im Energiemanagement, wo ein erhöhter Temperaturbereich wichtig ist
Welchen Temperatur extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Umgebungen mit erheblichen Temperaturschwankungen.
Wie wird der Torschutz während des Gebrauchs aufrechterhalten?
Die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V und definiert den Schwellenwert für sichere Gate-Treiber-Amplituden, um Schäden zu vermeiden.
Welches Gehäuse sollte für thermische und Montageanforderungen in Betracht gezogen werden?
Das TO-262-Gehäuse bietet ein robustes Montageformat mit drei Stiften und unterstützt die Wärmeableitung, die mit der Nennleistung des Geräts von 125 W kompatibel ist.
Wie viele aktive Elemente sind auf dem Chip enthalten?
Das Gerät besteht aus einem einzigen aktiven Element pro Chip, wodurch die Schaltkreistopologie für Einzeltransistor-Konfigurationen vereinfacht wird.