DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 1.4 W, 8-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 182-6896
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3020UTS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 182-6896
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3020UTS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.1 mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.1 mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Niedrige Gate-Schwellenspannung, geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand für Anwendungen mit ESD-geschütztem Gate, Batterieüberwachungsanwendungen, Stromversorgungsfunktionen und DC/DC-Wandler
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