DiodesZetex DMN6040SE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.1 A 2 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 182-6899
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN6040SE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.756.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.189 | CHF.768.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6899
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN6040SE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | DMN6040SE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.55 mm | |
| Länge | 6.55mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie DMN6040SE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.55 mm | ||
Länge 6.55mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Zu 100 % gelöster Induktionsschalter (UIS), getestet während der Produktion
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Motorsteuerung
Transformator-Antriebsschalter
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN6040SE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.1 A 2 W, 4-Pin DMN6040SE-13 SOT-223
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 11 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMN6068SE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.6 A 3.7 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18.2 A 17.3 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 11 W, 4-Pin DMN6069SE-13 SOT-223
- DiodesZetex DMN6068SE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.6 A 3.7 W, 4-Pin DMN6068SE-13 SOT-223
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18.2 A 17.3 W, 4-Pin DMP6023LE-13 SOT-223
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 710 mA 2 W, 4-Pin SOT-223