DiodesZetex Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.6 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 182-6908
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2040USD-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 182-6908
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- DMP2040USD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | -7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 4.95mm | |
| Breite | 3.9mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf -7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 4.95mm | ||
Breite 3.9mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Zweifach-P-Kanal-MOSFET
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Hinterleuchtung.
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
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