DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 182-7079P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 200 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF.26.20
Auf Lager
- Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 05. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 200 - 400 | CHF.0.131 |
| 500 - 900 | CHF.0.101 |
| 1000 - 1900 | CHF.0.091 |
| 2000 + | CHF.0.091 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7079P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Höhe 0.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Hinterleuchtung.
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen