DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 11 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*

CHF.71.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’550 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
250 - 450CHF.0.284
500 - 950CHF.0.231
1000 - 1950CHF.0.189
2000 +CHF.0.179

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7095P
Herst. Teile-Nr.:
DMN6069SE-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

11W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.55 mm

Höhe

1.65mm

Länge

6.55mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Anwendungen

Motorsteuerung

Transformator-Antriebsschalter

DC/DC-Wandler

Stromüberwachungsfunktionen

Unterbrechungsfreie Stromversorgung