DiodesZetex DMG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 900 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-7104
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG3415U-7-57
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, in einer Packung mit 100)*
CHF 14.10
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
- Zusätzlich 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 30. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF 0.141 | CHF 13.74 |
| 200 - 400 | CHF 0.121 | CHF 12.02 |
| 500 - 900 | CHF 0.101 | CHF 9.60 |
| 1000 - 1900 | CHF 0.091 | CHF 8.69 |
| 2000 + | CHF 0.081 | CHF 7.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7104
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG3415U-7-57
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 71mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 71mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
ESD-Schutz bis 3 kV
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
PPAP-fähig
Anwendungen
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen
Verwandte Links
- DiodesZetex DMG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 900 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.3 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.5 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- Lovato EXP Logikmodul Logikmodul für DMG 600/610, DMG 700, DMG 800, DMG 900/900T, DCRG 8, ATL 610, RGK 800, RGK 900
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.1 A 806 mW, 3-Pin SOT-23