DiodesZetex DMN2058U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.6 A 1.13 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-7125
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2058UW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.10.10
Auf Lager
- 2'800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.0.101 | CHF.10.50 |
| 200 - 400 | CHF.0.091 | CHF.9.19 |
| 500 - 900 | CHF.0.071 | CHF.7.37 |
| 1000 - 1900 | CHF.0.071 | CHF.6.67 |
| 2000 + | CHF.0.061 | CHF.6.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7125
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2058UW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN2058U | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 91mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.13W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN2058U | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 91mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.13W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Motorsteuerung
Stromüberwachungsfunktionen
Hinterleuchtung.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN2058U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.6 A 1.13 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.7 W, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si3476DV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 4.6 A 3.6 W, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.9 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1.5 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 35 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23