DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8.7 A 2 W, 6-Pin UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-7286
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP1009UFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 182-7286
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP1009UFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.58mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.58mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
Batterieüberwachungsanwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
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