DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.25 A 59.4 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 182-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP45H150DHE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.20.20
Auf Lager
- Zusätzlich 4'150 Einheit(en) mit Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF.0.404 | CHF.20.15 |
| 250 - 450 | CHF.0.354 | CHF.17.63 |
| 500 - 950 | CHF.0.283 | CHF.14.09 |
| 1000 - 1950 | CHF.0.232 | CHF.11.77 |
| 2000 + | CHF.0.222 | CHF.10.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP45H150DHE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 450V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.4W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.55 mm | |
| Länge | 6.55mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 450V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.4W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.55 mm | ||
Länge 6.55mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET vom Anreicherungstyp P-Kanal mit 450 V bietet den Benutzern konkurrenzfähige Leistungsdaten, mit einer effizienten Leistungsbelastbarkeit und hohen Impedanz, und ist dabei frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen. Dieses Gerät kommt einer Vielzahl von Stromkreisen für allgemeine Anwendungen und Telekommunikationsanwendungen zugute.
Niedrige Gate-Ansteuerung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Schalten von Lasten
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.25 A 59.4 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.6 A 12.5 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18.2 A 17.3 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 450 mA 200 mW, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 75 mA 2 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 140 mA 2 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 1.08 W, 3-Pin SOT-23