DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.6 A 12.5 W, 4-Pin DMP45H21DHE-13 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 182-7460
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP45H21DHE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.483 | CHF.11.99 |
| 250 - 475 | CHF.0.431 | CHF.10.76 |
| 500 - 975 | CHF.0.42 | CHF.10.48 |
| 1000 - 1475 | CHF.0.41 | CHF.10.21 |
| 1500 + | CHF.0.399 | CHF.9.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7460
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP45H21DHE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 450V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.55 mm | |
| Länge | 6.55mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 450V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.55 mm | ||
Länge 6.55mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET vom Anreicherungstyp P-Kanal mit 450 V bietet den Benutzern konkurrenzfähige Leistungsdaten, mit einer effizienten Leistungsbelastbarkeit und hohen Impedanz, und ist dabei frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen. Dieses Gerät kommt einer Vielzahl von Stromkreisen für allgemeine Anwendungen und Telekommunikationsanwendungen zugute.
Niedrige Gate-Ansteuerung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Schalten von Lasten
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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