DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.6 A 12.5 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 182-7460P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP45H21DHE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF 136.25
Vorübergehend ausverkauft
- 2'450 Einheit(en) mit Versand ab 24. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 475 | CHF 0.545 |
| 500 - 975 | CHF 0.535 |
| 1000 - 1475 | CHF 0.515 |
| 1500 + | CHF 0.505 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7460P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP45H21DHE-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 450V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.55mm | |
| Länge | 6.55mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 450V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.55mm | ||
Länge 6.55mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET vom Anreicherungstyp P-Kanal mit 450 V bietet den Benutzern konkurrenzfähige Leistungsdaten, mit einer effizienten Leistungsbelastbarkeit und hohen Impedanz, und ist dabei frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen. Dieses Gerät kommt einer Vielzahl von Stromkreisen für allgemeine Anwendungen und Telekommunikationsanwendungen zugute.
Niedrige Gate-Ansteuerung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Schalten von Lasten
Unterbrechungsfreie Stromversorgung