- RS Best.-Nr.:
- 183-6007
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L12CGNTLL
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 183-6007
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L12CGNTLL
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- KP
Produktdetails
Der RJ1L12CGN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Serie | RJ1L12CGN |
Gehäusegröße | TO-263AB |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 4,8 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 166 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Betriebstemperatur max. | 150 °C |
Länge | 10.4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
Breite | 9.2mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 4.7mm |