onsemi NTE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SC-89

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RS Best.-Nr.:
184-1063
Herst. Teile-Nr.:
NTE4153NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

915mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

NTE

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.82nC

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Breite

0.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Kleinsignal-MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm Single N-Kanal SC-89 mit ESD-Schutz

Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz

Niedrige Schwellenspannung, 1,5 V Nennspannung

ESD-geschütztes Gate

Anwendungen:

Last-/Netzschalter

Netzteil-Wandlerschaltungen

Batteriemanagement

Tragbare Geräte wie Mobiltelefone, PDAs, Digitalkameras, Pager usw.

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