onsemi NTE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 184-1203P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTE4153NT1G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 915mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Serie | NTE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 800μm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 950μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 915mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Serie NTE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.82nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 800μm | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 950μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Kleinsignal-MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm Single N-Kanal SC-89 mit ESD-Schutz
Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz
Niedrige Schwellenspannung, 1,5 V Nennspannung
ESD-geschütztes Gate
Anwendungen:
Last-/Netzschalter
Netzteil-Wandlerschaltungen
Batteriemanagement
Tragbare Geräte wie Mobiltelefone, PDAs, Digitalkameras, Pager usw.