onsemi NTR5103N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 260 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 184-1331P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR5103NT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTR5103N | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.81nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTR5103N | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.81nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.01mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Kleinsignal-MOSFET: 60 V, 310 mA, einfach, N-Kanal, SOT-23
Niedriger RDS (EIN)
SOT-23 - SMD-Gehäuse mit geringer Abmessung
Verbesserung der Effizienz
Industriestandard-Gehäuse
Anwendungen:
Niederspannungsseiten-Lastschalter
Pegelschaltkreise
DC/DC-Wandler