onsemi NVMFS6H824N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 103 A 115 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 185-9162P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS6H824NT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 185-9162P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS6H824NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 103A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NVMFS6H824N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.1mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 103A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NVMFS6H824N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.1mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
NVMFS6H818NWF - Option für wettbare Flansche
PPAP-fähig
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Prüfung
Für die Automobilindustrie geeignet
Anwendungen
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
48-V-Systeme
Endprodukte
Motorsteuerung
Lastschalter
DC/DC-Konverter