onsemi NVMJS1D3N04C N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 235 A 128 W, 8-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 185-9186P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 40 - 396 | CHF 2.485 |
| 400 - 1996 | CHF 2.161 |
| 2000 + | CHF 1.899 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 185-9186P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 235A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVMJS1D3N04C | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 128W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 235A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVMJS1D3N04C | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 128W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- PH
MOSFET für die Automobilindustrie in einem 5x6mm LFPAK-Gehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und hohe thermische Leistung konzipiert wurde. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK8-Paket, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei