onsemi NVTFS6H854N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 44 A 68 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 185-9264P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS6H854NTAG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 185-9264P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS6H854NTAG
- Marke:
- onsemi
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NVTFS6H854N | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 750μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.15mm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NVTFS6H854N | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 750μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.15mm | ||
Länge 3.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- MY
