- RS Best.-Nr.:
- 186-7147
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC3601N
- Marke:
- onsemi
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF.0.20
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 + | CHF.0.20 | CHF.601.65 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 186-7147
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC3601N
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diese N-Kanal 100V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer niedrigen Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr geringer Stellfläche für Anwendungen zu bieten, bei denen die größeren, teureren SO-8- und TSSOP-8-Pakete unpraktisch sind.
1,0 A, 100 V
RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TSOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Verlustleistung max. | 960 mW |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |