Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 52 A 69.4 W,
- RS Best.-Nr.:
- 188-4891
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 188-4891
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.4W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.4W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gemeinsam - Drain Dual N-Kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
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