Vishay SiHU4N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 62.5 W, 3-Pin IPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.89.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 120CHF.1.788
125 - 245CHF.1.687
250 - 495CHF.1.606
500 +CHF.1.576

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-4943P
Herst. Teile-Nr.:
SIHU4N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

SiHU4N80AE

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.44Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Leistungs-MOSFET der Serie E

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.