Vishay SQM40020E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-4954
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40020E_GE3
- Marke:
- Vishay
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- 188-4954
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40020E_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQM40020E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00233Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQM40020E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00233Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
KFZ-N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
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