Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-4982P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.758 |
| 250 - 490 | CHF 0.717 |
| 500 - 990 | CHF 0.545 |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-4982P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD2N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.25mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.25mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 800 V, maximale Verlustleistung 62,5 W – SIHD2N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für den Einsatz in Industrie- und Leistungsumwandlungsumgebungen konzipiert ist. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus und ist für oberflächenmontierte Schaltkreise vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und ein kontrolliertes Schaltverhalten erforderlich sind. Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und erfüllt die RoHS-Umweltstandards.
Merkmale und Vorteile:
• 800-V-Drain-Source-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 2,9 Ω Rds(on) unterstützt moderate Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 62,5 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 7 nC liefert vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Bewertung von 30 V bietet eine große Gate-Drive-Marge
• 2,9 A kontinuierlicher Ablassstrom für Steady-State-Lasten
• 2,9 Ω Rds(on) unterstützt moderate Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 62,5 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 7 nC liefert vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Bewertung von 30 V bietet eine große Gate-Drive-Marge
• 2,9 A kontinuierlicher Ablassstrom für Steady-State-Lasten
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Schaltnetzteile und Hilfsschienen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die ein geringes Ladungsbudget erfordern
• Kann für nicht-automotive Hochspannungslastschaltungen verwendet werden
• Ideal für industrielle Schaltnetzteile und Hilfsschienen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die ein geringes Ladungsbudget erfordern
• Kann für nicht-automotive Hochspannungslastschaltungen verwendet werden
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es während des Betriebs tolerieren?
Er ist für einen breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für anspruchsvolle industrielle Umgebungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage und den Wärmeweg aus?
Das oberflächenmontierbare TO-252-Gehäuse ermöglicht eine kompakte Platzierung der Leiterplatte und bietet einen direkten Wärmeleitpfad zum Leiterplattenkupfer zur Wärmeableitung.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollten für die Schaltleistung beachtet werden?
Die Antriebsspannungen sollten innerhalb von ±30 V bleiben und so dimensioniert sein, dass das Gate mit ca. 7 nC geladen wird, um das charakterisierte Schaltverhalten ohne übermäßigen Antriebsstrom zu erreichen.
Ist sie für den Einsatz in Automobilsystemen geeignet?
Es ist nicht als für die Automobilindustrie zugelassen, daher sollte es nicht ausgewählt werden, wenn für die Automobilindustrie spezifische Zulassungen erforderlich sind.