Vishay SiA471DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 30.3 A 19.2 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 188-5019P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA471DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 600 | CHF 0.535 |
| 625 - 1225 | CHF 0.485 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.343 |
| 2500 + | CHF 0.273 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5019P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA471DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiA471DJ | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.15mm | |
| Höhe | 750μm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiA471DJ | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.15mm | ||
Höhe 750μm | ||
Länge 2.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV p-Kanal-Leistungs-MOSFET
Thermisch verbessertes PowerPAK ® SC-70-Gehäuse
Sehr niedriger RDS(on) x-Bereich minimiert Leistungsverlust auf begrenzten Leiterplattenflächen