Vishay SQM50034E N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-5022
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM50034E_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 3.101 | CHF 15.51 |
| 50 - 120 | CHF 2.788 | CHF 13.96 |
| 125 - 245 | CHF 2.666 | CHF 13.33 |
| 250 - 495 | CHF 2.485 | CHF 12.41 |
| 500 + | CHF 2.333 | CHF 11.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5022
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM50034E_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SQM50034E | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0039Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SQM50034E | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0039Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
KFZ-N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S), 175 °C.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
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