Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- SQUN702E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- SQUN702E-T1_GE3
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | Dreifach-Matrize | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.79V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 3 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße Dreifach-Matrize | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.79V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 3 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQUN702E-T1_GE3
Dieser MOSFET ist eine oberflächenmontierte Leistungstransistorfamilie, die für Hochspannungsschaltungen in Automobil- und industriellen Steuerungssystemen entwickelt wurde. Es kombiniert sowohl P- als auch N-Kanal-Elemente in einer Common-Drain-Drei-Matrix-Konfiguration, um komplexe Power-Management-Topologien zu unterstützen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme • 60 W Verlustleistung für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung • Maximale Betriebstemperatur von 175 °C ermöglicht erhöhte thermische Spielräume • 20-V-Gate-Toleranz für Standard-Gate-Drive-Spannungen • 23 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung
Anwendungen
• Geeignet für Kraftfahrzeugstromverteilung und Motorantriebsschaltkreise • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Umwandlungsstufen in Fahrzeugen • Verwendet für Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Kann für Lastschaltung und Schutz in elektrischen Systemen verwendet werden • Wird mit Multi-Element-Topologien verwendet, die kombinierte P- und N-Kanäle erfordern
Welcher thermischer Umgebungsbedingungen kann er für einen längeren Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb bis zu 175 °C ausgelegt, mit einer unteren Umgebungsgrenze von -55 °C für Kaltstart-Szenarien.
Wie passt sich das Gerät an Mixed-Kanal-Schaltkreise an?
Die Konfiguration mit Dreifachmatrizen und Common Drain integriert P- und N-Kanal-Elemente in einem einzigen Gehäuse, um das Layout in komplementären Schaltanordnungen zu vereinfachen.
Welche Montageaspekte gelten für die Leiterplattenmontage?
Es wird als oberflächenmontierbare Komponente in einem 10-poligen Gehäuse geliefert, was eine automatisierte Montage und eine kompakte Platzierung der Platine ermöglicht.
Welche elektrischen Grenzwerte sollten Entwickler für Gate- und Ablassklemmen beachten?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und die maximale Drain-Source-Spannung 200 V, um eine Überbelastung des Geräts zu verhindern.
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