Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,
- RS Best.-Nr.:
- 188-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- SQUN702E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-MOSFET-Paar mit 40 V N- und P-Kanal und 200 V N-Kanal MOSFET.
Optimiertes Dreifach-Matrizengehäuse
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | NPN |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A, 30 A, 20 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) |
| Gehäusegröße | Dreifach-Matrize |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 10 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0135 Ω (Kanal 2), 0,048 Ω (Kanal 1), 0,06 Ω (Kanal 3) |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V |
| Verlustleistung max. | 48 W, 48 W, 60 W. |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 3 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 100 V (Kanal 3), 23 nC @ 20 V (Kanal 2), 30,2 nC @ 20 V (Kanal 1) |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |