Vishay SiRA84BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-5078
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.20.20
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF 0.808 | CHF 20.15 |
| 250 - 600 | CHF 0.788 | CHF 19.78 |
| 625 - 1225 | CHF 0.606 | CHF 15.15 |
| 1250 - 2475 | CHF 0.475 | CHF 11.92 |
| 2500 + | CHF 0.374 | CHF 9.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5078
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiRA84BDP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.99mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiRA84BDP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.99mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Verwandte Links
- Vishay SiRA84BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -36 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 36 A 5 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 64 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 19.8 W, 8-Pin 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay SIRA14DDP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 64 A 36 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212