Vishay SQJA78EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-5157
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA78EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.395
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.279 | CHF.11.40 |
| 50 - 120 | CHF.1.943 | CHF.9.69 |
| 125 - 245 | CHF.1.712 | CHF.8.57 |
| 250 - 495 | CHF.1.481 | CHF.7.42 |
| 500 + | CHF.1.365 | CHF.6.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5157
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA78EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQJA78EP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Breite | 4.47 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQJA78EP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.01mm | ||
Breite 4.47 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
KFZ-N-Kanal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Verwandte Links
- Vishay SQJA78EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJA81EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 68 W, 4-Pin SQJA81EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay SQJA81EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 68 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SQJA38EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 68 W, 8-Pin SQJA38EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SQJ431AEP-T1_GE3 SO-8
- Vishay SQJA66EP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 68 W, 4-Pin SQJA66EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33.6 A 68 W, 4-Pin SQJ211ELP-T1_GE3 SO-8
- Vishay SQS174ELNW Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 72 V / 87 A 103 W, 8-Pin SQS174ELNW-T1_GE3