STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 710 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-8291
- Herst. Teile-Nr.:
- STD8N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 188-8291
- Herst. Teile-Nr.:
- STD8N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 710V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.17mm | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 710V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.17mm | ||
Breite 6.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-MDmesh ® V-Leistungs-MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit der bekannten horizontalen PowerMESH TM-Layoutstruktur von STMicroelectronics kombiniert wird. Das resultierende Produkt verfügt über einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, der bei Silizium-basierten Leistungs-MOSFETs unerreicht ist, wodurch es sich besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Weltweit bester RDS(on)-Bereich
Höhere VDSSrating
Hohe DV/DT-Fähigkeit.
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Leicht zu fahren
Anwendungen
Schaltanwendungen
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