STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 85 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-8395
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.035
Auf Lager
- 2’425 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.607 | CHF.8.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8395
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 680mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Höhe | 2.17mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 680mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.2 mm | ||
Höhe 2.17mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurden. Dank ihres Streifenlayouts und ihrer verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet sind.
Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 85 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin STD11N60DM2 TO-252
- STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 70 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 70 W, 3-Pin STD86N3LH5 TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4.5 A 60 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 5.5 A 60 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-252