STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 85 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-8395P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 188-8395P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 680mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.17mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 680mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.17mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurden. Dank ihres Streifenlayouts und ihrer verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet sind.
Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen