STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 60 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 188-8440P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 490 | CHF 0.808 |
| 500 - 990 | CHF 0.727 |
| 1000 - 2490 | CHF 0.717 |
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- RS Best.-Nr.:
- 188-8440P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.73Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.17mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.73Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.17mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung wurde mit MDmesh K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Branchenweit niedrigster RDS(on) x-Bereich
Branchenweit bester FoM (Leistungszahl)
Extrem niedrige Gate-Ladung
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen