STMicroelectronics STB11NM80 N-Kanal, Oberfläche MDmesh-Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8461P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB11NM80T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- STB11NM80T4
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MDmesh-Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | STB11NM80 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 9.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MDmesh-Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie STB11NM80 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 9.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs werden mit der revolutionären MDmesh-Technologie von STMicroelectronics entwickelt, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH verbindet. Diese Geräte bieten einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Diese Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Streifentechnik von ST und bieten eine dynamische Gesamtleistung, die vergleichbaren Produkten auf dem Markt überlegen ist.
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Beste RDS(on)Qg in der Branche
Anwendungen
Schaltanwendungen