STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.15.35
Auf Lager
- Zusätzlich 7'280 Einheit(en) mit Versand ab 19. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.535 | CHF.15.39 |
| 50 - 90 | CHF.1.465 | CHF.14.63 |
| 100 - 240 | CHF.1.313 | CHF.13.15 |
| 250 - 490 | CHF.1.182 | CHF.11.82 |
| 500 + | CHF.1.131 | CHF.11.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Typischer RDS(on) = 0,017 Ω
Niedriger SCHWELLENANTRIEB
Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE
ANWENDUNGEN
DC-MOTOR-ANTRIEB
DC/DC-Wandler
Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG
Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- STMicroelectronics STS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- STMicroelectronics N-Kanal STL160 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 160 A, 8-Pin PowerFLAT
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- STMicroelectronics N-Kanal STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 545 A, 8-Pin TO-LL