onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 44 A 348 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 189-0265
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL080N120SC1
- Marke:
- onsemi
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- NVHL080N120SC1
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 162mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 348W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 162mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 348W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.82 mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-3
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
1200 V Nennspannung
Max RDS(on) = 110 mΩ bei Vgs = 20 V, ID = 20 A
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Geräte sind bleifrei
Anwendungen
PFC
OBC
Endprodukte
KFZ-DC/DC-Wandler für EV/PHEV
Kfz-On-Board-Ladegerät
Kfz-Hilfsmotorantrieb
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