- RS Best.-Nr.:
- 192-3498
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0032120K
- Marke:
- Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C]
+15 V Gate-Ansteuerspannung
Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Anwendungen
Solar- und Energiespeichersysteme
Laden von Elektrofahrzeugen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Motorsteuerung und Antriebe
Schaltnetzteile (SMPS)
+15 V Gate-Ansteuerspannung
Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Anwendungen
Solar- und Energiespeichersysteme
Laden von Elektrofahrzeugen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Motorsteuerung und Antriebe
Schaltnetzteile (SMPS)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 63 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247-4 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 32 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.6V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 283 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 16.13mm |
Breite | 5.21mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 118 nC @ 4/15 V |
Höhe | 23.6mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |