STMicroelectronics Einfach Mdmesh M6 Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage 600 V Erweiterung / 13 A
- RS Best.-Nr.:
- 192-4652
- Herst. Teile-Nr.:
- STF18N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4652
- Herst. Teile-Nr.:
- STF18N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue MDmeshTM M6-Technologie umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ-MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh-Geräten mit seiner neuen M6-Technologie auf, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten verfügbaren Schaltverhaltensweisen sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung kombiniert.
Reduzierte Schaltverluste
Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zener-geschützt