STMicroelectronics Einfach N-Kanal 1, Oberfläche 600 V Erweiterung / 7 A 52 W, 8-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS Best.-Nr.:
- 192-4849P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4849P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 52 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.6 V | |
| Höhe | 950 μm | |
| Länge | 6 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 415 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 5 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 52 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.6 V | ||
Höhe 950 μm | ||
Länge 6 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 415 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 5 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected