STMicroelectronics STD5N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3.5 A 45 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 193-5390
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 193-5390
- Herst. Teile-Nr.:
- STD5N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STD5N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.55Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.2mm | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STD5N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.55Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.2mm | ||
Breite 6.2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen MDmesh TM DM2-Wiederherstellungsdiodenserie. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit
Zenerdioden-geschützt
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