onsemi NCV51705, Oberfläche MOSFET Erweiterung 2.9 W, 24-Pin QFN

Der Treiber NCV51705 wurde für die Ansteuerung von SiC MOSFET-Transistoren entwickelt. Um die geringstmöglichen Leitungsverluste zu erreichen, ist der Treiber in der Lage, die maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC MOSFET-Gerät zu liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Peak Current beim Ein- und Ausschalten werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, dV/dt-Immunität und eine faster Abschaltung kann der NCV51705 seine integrierte Ladungspumpe verwenden, um eine vom Benutzer auswählbare negative Spannungsschiene zu erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCV51705 außerdem eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Opto-Isolatoren.