onsemi NVTFS010N10MCL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 57.8 A 77.8 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2554P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | NVTFS010N10MCL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.15mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie NVTFS010N10MCL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.15mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (3 x 3 mm)
Kompaktes Design
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige Kapazität
Minimiert Treiberverluste
PPAP-fähig
Geeignet für Automobilanwendungen
Anwendung
Batterieverpolungsschutz
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Schaltnetzteile