onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 313 A 167 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2664
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 313A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 143nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 950μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 313A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 143nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 950μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit dem Advanced Power Trench ® -Prozess von ON Semiconductor hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual Cool TM-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Wärmewiderstand zwischen den Bereichen zu gewährleisten.
Top- und Unterseite freigelegt in Standard 5 x 6 mm Stiftbelegung
Verbesserte Wärmeableitung durch Top- und Unterseite des Gehäuses
Extrem niedriger RDS(on)
Geringere Leitungsverluste
Geringere Kapazitäten und Gehäuseinduktivität
Geringere Schaltverluste
Anwendung
Synchroner Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Netzteilen
Motorschalter
Lastschalter
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