onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 316 A 166 W, 8-Pin DFN

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Herst. Teile-Nr.:
NVMFSC0D9N04CL
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

316A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.9mm

Höhe

950μm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Kompaktes Design

Niedriger RDS (EIN)

Minimiert Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität

Minimiert Treiberverluste

NVMFS5C410NWF – Option mit benetzbaren Flanken

Verbesserte optische Prüfung

PPAP-fähig

Anwendung

Batterieverpolungsschutz

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

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