onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 313 A 166 W, 8-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
195-8978P
Herst. Teile-Nr.:
NVMFSC0D9N04C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

313A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.87mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.1mm

Höhe

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET mit zwei Kühlleistungen in einem 5 x 6 mm flachen Anschlussgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. In dieser benetzbaren Flankenoption für verbesserte optische Inspektion erhältlich.

Advanced Dual-Seiten-Kühlverpackung

Kleine Abmessungen für kompakte Bauweise

Extrem niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

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