Vishay SQM50034EL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 150 W, 1-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 200-6790
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM50034EL_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.44.95
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.798 | CHF.44.84 |
| 50 - 100 | CHF.1.475 | CHF.36.78 |
| 125 - 225 | CHF.1.384 | CHF.34.54 |
| 250 - 600 | CHF.1.323 | CHF.33.18 |
| 625 + | CHF.1.252 | CHF.31.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6790
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM50034EL_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SQM50034EL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 1 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.66mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SQM50034EL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 1 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.66mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQM50034EL_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-60-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-getestet
AEC-Q101-qualifiziert
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