Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 200-6839
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- 200-6839
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 204nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.61mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 204nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.61mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SIDR638DP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
100 % Rg- und UIS-getestet
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